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FJN965TA_Q
- 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial - FJN965TAQ
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FJN965TA_Q
制造商型号:
FJN965TA_Q
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
Fairchild Semiconductor
产品种类:
两极晶体管 - BJT
RoHS:
否
配置:
Single
晶体管极性:
NPN
集电极—基极电压 VCBO:
40 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
7 V
最大直流电集电极电流:
5 A
增益带宽产品fT:
150 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:
230
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-92
集电极连续电流:
5 A
直流电流增益 hFE 最大值:
600
最大功率耗散:
0.75 W
最小工作温度:
- 55 C
封装:
Ammo
手机网站相关详细信息:
FJN965TA_Q
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
FJN965TA_Q
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: FJN965TA_Q 品牌: Fairchild Semiconductor 备注: 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
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手机网站:
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