FJBE2150DTU,FJBE2150DTU|Fairchild Semiconductor代理分销-FJBE2150DTU原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | FJBE2150D |
|---|---|
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | ESBC™ |
| 包装 | 管件 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 800V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 330mA， 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100µA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 400mA，3V |
| 功率 - 最大值 | 110W |
| 频率 - 跃迁 | 5MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263-2 |
