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FF1200R17KE3_B2
- IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.7KA - FF1200R17KE3B2
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FF1200R17KE3_B2
制造商型号:
FF1200R17KE3_B2
制造商:
Infineon Technologies
描述:
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.7KA
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
Infineon
产品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO:
1700 V
在25 C的连续集电极电流:
1700 A
最大工作温度:
+ 125 C
封装 / 箱体:
IHM130
栅极/发射极最大电压:
+/- 20 V
最小工作温度:
- 40 C
安装风格:
SMD/SMT
工厂包装数量:
2
手机网站相关详细信息:
FF1200R17KE3_B2
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
FF1200R17KE3_B2
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: FF1200R17KE3_B2 品牌: Infineon Technologies 备注: IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.7KA
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Q Q:
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