典型关断延迟时间 | 32(N 通道)ns,60(P 通道)ns | |
典型接通延迟时间 | 12(P 通道)ns,6(N 通道)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 14 nC V @ 4.5 | |
典型输入电容值@Vds | 1325 pF @ 10 V(N 沟道),1330 pF @ 10 V(P 沟道) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4.4mm | |
封装类型 | TSSOP | |
尺寸 | 3 x 4.4 x 1mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1000 mW | |
最大栅源电压 | ±12 V | |
最大漏源电压 | 20 V | |
最大漏源电阻值 | 0.018(N 通道)Ω,0.035(P 通道)Ω | |
最大连续漏极电流 | 4.4(P 通道)A,6(N 通道)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N,P | |
配置 | 双、双源 | |
长度 | 3mm | |
高度 | 1mm |