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Dual N-Channel 30 V 90 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8

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Dual N-Channel 30 V 90 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8

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Transistor: N-MOSFET x2, unipolar, 30V, 3.5A, 2W, SO8, PowerTrench?

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	Fairchild/ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO 型号：FDS6961A 仓库库存编号：FDS6961ACT-ND 别名：FDS6961ACT	无铅	搜索

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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列双 Si N沟道 MOSFET FDS6961A, 3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
FDS6961A
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
917-5481

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FDS6961A..	1700681	ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 90 mohm, 10 V, 1.8 V (EN)	查看其他仓库
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	FDS6961A-Q Fairchild	原厂原装货暂无PDF	查价格库存查看详细
	FDS6961AZ Fairchild Semiconductor	MOSFET SO-8 暂无PDF	查价格库存查看详细

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FDS6961
制造商型号： FDS6961
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET，N沟道，30V，3.5A，SOIC8
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销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
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产品信息

	典型关断延迟时间	7 ns
	典型接通延迟时间	3 ns
	典型栅极电荷@Vgs	2.1 nC V @ 5
	典型输入电容值@Vds	220 pF V @ 15
	安装类型	表面贴装
	宽度	4mm
	封装类型	SOIC N
	尺寸	5 x 4 x 1.5mm
	引脚数目	8
	最低工作温度	-55 °C
	最大功率耗散	2000 mW
	最大栅源电压	±20 V
	最大漏源电压	30 V
	最大漏源电阻值	0.09 Ω
	最大连续漏极电流	3.5 A
	最高工作温度	+150 °C
	每片芯片元件数目	2
	类别	功率 MOSFET
	通道模式	增强
	通道类型	N
	配置	双、双漏极
	长度	5mm
	高度	1.5mm

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