典型关断延迟时间 | 30 ns | |
典型接通延迟时间 | 12 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 29 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 1686 pF V @ 20 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4mm | |
封装类型 | SOIC N | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2500 mW | |
最大栅源电压 | -20 V, 30 V | |
最大漏源电压 | 40 V | |
最大漏源电阻值 | 0.012 Ω | |
最大连续漏极电流 | 10.8 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 四漏极、单、三源 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |