| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FDP12N60NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 240W（Tc） TO-220-3 型号：FDP12N60NZ 仓库库存编号：FDP12N60NZ-ND |  | 搜索 |
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| 制造商零件编号： FDP12N60NZ 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 759-9175 | 搜索 |
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FDP12N60NZ | 1885783 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V (EN) | 搜索 |
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 | FDP12N60NZ Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | FDP(F)12N60NZ |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | UniFET-II™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 650 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1676pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 240W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
