典型关断延迟时间 | 20(晶体管 1)ns,58(晶体管 2)ns | |
典型接通延迟时间 | 21(晶体管 2)ns,8.6(晶体管 1)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 105 nC @ 10 V(晶体管 2),20 nC @ 10 V(晶体管 1) | |
典型输入电容值@Vds | 1315 pF @ 15 V(晶体管 1),7240 pF @ 15 V(晶体管 2) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 6mm | |
封装类型 | Power 56 | |
尺寸 | 5 x 6 x 0.7mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2.2(晶体管 1)W,2.5(晶体管 2)W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 12(晶体管 1)mΩ,2.9(晶体管 2)mΩ | |
最大连续漏极电流 | 120(晶体管 2)A,50(晶体管 1)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双、三漏极、三源 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 0.7mm |