型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDMS7600AS [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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FDMS7600AS [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench RoHS: Compliant | 搜索 |
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FDMS7600AS [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 12A/22A 8-Pin Power 56 T/R (Alt: FDMS7600AS) RoHS: Compliant | 搜索 |
FDMS7600AS [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 12A/22A 8-Pin Power 56 T/R - Cut Tape Product (Alt: FDMS7600AS) RoHS: Compliant | 搜索 |
FDMS7600AS [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 12A/22A 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS7600AS) RoHS: Compliant | 搜索 |
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FDMS7600A | Fairchild Semiconductor | MOSFET N Channel 30V 8 Pin Power 56 | 查看库存、价格及货期 |
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FDMS7600AS![]() | 1813542 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管, MOSFET, N沟道, 40A, 30V ![]() | 查看其他仓库 |
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| 制造商零件编号: FDMS7600AS 品牌: Fairchild Semiconductor 库存编号: 739-6345 | 查看其他仓库 |
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典型关断延迟时间 | 20(晶体管 1)ns,45(晶体管 2)ns | |
典型接通延迟时间 | 18(晶体管 2)ns,8.6(晶体管 1)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V(晶体管 1),81 nC @ 10 V(晶体管 2) | |
典型输入电容值@Vds | 1315 pF @ 15 V(晶体管 1),5265 pF @ 15 V(晶体管 2) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 6mm | |
封装类型 | Power 56 | |
尺寸 | 5 x 6 x 0.7mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1(晶体管 2)W,2.5(晶体管 1)W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 12(晶体管 1)mΩ,3.8(晶体管 2)mΩ | |
最大连续漏极电流 | 120(晶体管 2)A,50(晶体管 1)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双、三漏极、三源 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 0.7mm |