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FDME1024NZT
- 场效应管 MOSFET 双N沟道 20V 3.8A MFET1.6X1.6 - FDME1024NZT
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FDME1024NZT
制造商型号:
FDME1024NZT
制造商:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述:
场效应管 MOSFET 双N沟道 20V 3.8A MFET1.6X1.6
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET 双N沟道 20V 3.8A MFET1.6X1.6
晶体管极性: 双N沟道
电流, Id 连续: 3.8A
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS(上): 0.055ohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 700mV
功耗, Pd: 1.4W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: MicroFET
针脚数: 6
MSL: MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
手机网站相关详细信息:
FDME1024NZT
旗下站点
www.szcwdz.cn
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*所需产品:
型号: FDME1024NZT 品牌: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 备注: 场效应管 MOSFET 双N沟道 20V 3.8A MFET1.6X1.6
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Q Q:
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