FDMC86106LZ,FDMC86106LZ|Fairchild Semiconductor代理分销-FDMC86106LZ原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | FDMC86106LZ |
|---|---|
| PCN Design/Specification | FDMC86106LZ 13/Jun/2013 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.3A （Ta）， 7.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 103 毫欧 @ 3.3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 310pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 2.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-MLP（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | FDMC86106LZ-ND FDMC86106LZTR |
