典型关断延迟时间 | 15 ns | |
典型接通延迟时间 | 9 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 12.7 nC V @ 0→ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 880 pF V @ 100 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 3mm | |
封装类型 | Power 33 | |
尺寸 | 3 x 3 x 0.95mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 42 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 220 V | |
最大漏源电阻值 | 814 mΩ | |
最大连续漏极电流 | 7 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 四漏极、三源 | |
长度 | 3mm | |
高度 | 0.95mm |