FDG6322C_Q,FDG6322C_Q|Fairchild Semiconductor代理分销-FDG6322CQ原装现货,PDF下载
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FDG6322C_Q
制造商型号： FDG6322C_Q
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:+/- 25 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:0.22 A, - 0.41 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:-
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SC-70-6
封装:Reel
下降时间:4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :0.2 S, 0.9 S
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:0.3 W
上升时间:4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
典型关闭延迟时间:4 ns at N Channel, 55 ns at P Channel

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