FDG361N,FDG361N|Fairchild Semiconductor代理分销-FDG361N原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | FDG361N |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 PKG |
| PCN Design/Specification | Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 600mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 500 毫欧 @ 600mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 153pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 380mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
