FDFM2P110,FDFM2P110|FAIRCHILD代理分销-FDFM2P110原装现货,PDF下载
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  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FDFM2P110
库存编号:FDFM2P110TR-ND		 onsemi MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET0
起订		6-10天询价 询价
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FDFM2P110
库存编号:2832-FDFM2P110TR-ND		 FLIP ELECTRONICS INTEGRATED P-CHANNEL MOSFET AND0
2000起订		2000+
￥3.99
6-10天询价 询价
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FDFM2P110
库存编号:2156-FDFM2P110-ND		 Rochester Electronics LLC MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET0
761起订		761+
￥4.86
6-10天询价 询价
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  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
FDFM2P110
库存编号:FDFM2P110		 onsemi Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin MLP EP T/R - Tape and Reel (Alt: FDFM2P110)0
2174起订		2174+
2200+
4400+
11000+
22000+
￥3.91
￥3.85
￥3.79
￥3.73
￥3.67
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  日本2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
FDFM2P110
库存编号:85987539		 onsemi Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin WDFN EP T/R0
879起订		879+
1000+
￥5.73
￥5.41
1-2周询价 询价
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  自家仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 参考单价
(含税)		 货期
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FDFM2P110 FAIRCHILD INTEGRATED PCH MOSFET & SCHOTT 查看库存、价格及货期
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
FDFM2P110|FAIRCHILDFDFM2P110
FAIRCHILD		INTEGRATED PCH MOSFET & SCHOTT
Rohs

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无图FDFM2P110
FAIRCHILD		INTEGRATED PCH MOSFET & SCHOTT
Rohs

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FDFM2P110|Fairchild SemiconductorFDFM2P110
Fairchild Semiconductor		MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
FDFM2P110|Fairchild SemiconductorFDFM2P110
Fairchild Semiconductor		MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
Rohs

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Fairchild/ON Semiconductor - FDFM2P110 - MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 2W（Ta） MicroFET 3x3mm

型号：FDFM2P110
仓库库存编号：FDFM2P110CT-ND
别名：FDFM2P110CT <br>

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FDFM2P110|FAIRCHILD
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
FDFM2P110
制造商型号： FDFM2P110
制造商： FAIRCHILD
描述： INTEGRATED PCH MOSFET & SCHOTT
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 140 mΩ
  • Qg Gate Charge: 4 nC
  • Rated Power Dissipation: 800 mW

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