型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FDD6688S | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 88A(Ta) 69W(Ta) D-PAK(TO-252AA) 型号:FDD6688S 仓库库存编号:FDD6688S-ND | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | FDD6688S |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 88A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5.1 毫欧 @ 18.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 81nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3290pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.3W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |