FDD10N20LZTM,FDD10N20LZTM|Fairchild Semiconductor代理分销-FDD10N20LZTM原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | FDD10N20LZ |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | UniFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 7.6A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 360 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 585pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 56W |
| 安装类型 | 接线柱安装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | FDD10N20LZTM-ND FDD10N20LZTMTR |
