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FDB5800_F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
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FDB5800_F085 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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数据列表 | FDB5800 |
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产品相片 | TO-263 |
PCN Obsolescence | Multiple Devices 13/Aug/2010 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 14A (Ta), 80A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6 毫欧 @ 80A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 135nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6625pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 242W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |