FDB13AN06A0_Q,FDB13AN06A0_Q|Fairchild Semiconductor-FDB13AN06A0Q原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FDB13AN06A0
库存编号:512-FDB13AN06A0		 onsemi MOSFETs N-Channel PowerTrench5361
1起订		1+
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￥17.73
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￥12.41
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FDB13AN06A0
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

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FDB13AN06A0
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MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

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MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

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MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB13AN06A0
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Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB13AN06A0
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Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FDB13AN06A0)

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FDB13AN06A0
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Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FDB13AN06A0)

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FDB13AN06A0
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Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDB13AN06A0)

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FDB13AN06A0
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Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB13AN06A0
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Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB13AN06A0
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N-Channel 60 V 13.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-263AB

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N-Channel 60 V 13.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-263AB

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FDB13AN06A0
[更多]		 Fairchild Semiconductor Corporation  

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FDB13AN06A0
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 62A, 115W, D2PAK, PowerTrench?

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型号 制造商 描述 库存 起订量 参考单价
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FDB13AN06A0_Q Fairchild Semiconductor MOSFET N-Channel PowerTrench 查看库存、价格及货期
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无图FDB13AN06A0_Q
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-Channel PowerTrench
Rohs

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FDB13AN06A0_Q|Fairchild SemiconductorFDB13AN06A0_Q
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-Channel PowerTrench
Rohs

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无图
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
FDB13AN06A0_Q
制造商型号： FDB13AN06A0_Q
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET N-Channel PowerTrench
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:否
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:60 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:62 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:11.5 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263AB
封装:Reel
下降时间:26 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:115 W
上升时间:96 ns
典型关闭延迟时间:44 ns

手机网站相关详细信息：FDB13AN06A0_Q
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