FDB13AN06A0_Q,FDB13AN06A0_Q|Fairchild Semiconductor-FDB13AN06A0Q原装现货,PDF下载
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操作
FDB13AN06A0
库存编号:512-FDB13AN06A0
onsemi MOSFETs N-Channel PowerTrench5361
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FDB13AN06A0
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

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MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

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MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

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Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FDB13AN06A0)

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FDB13AN06A0)

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDB13AN06A0)

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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N-Channel 60 V 13.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-263AB

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N-Channel 60 V 13.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-263AB

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FDB13AN06A0
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Fairchild Semiconductor Corporation  

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FDB13AN06A0
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ON Semiconductor

Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 62A, 115W, D2PAK, PowerTrench?

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FDB13AN06A0_Q Fairchild Semiconductor MOSFET N-Channel PowerTrench 查看库存、价格及货期
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无图FDB13AN06A0_Q
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-Channel PowerTrench
Rohs

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FDB13AN06A0_Q|Fairchild SemiconductorFDB13AN06A0_Q
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-Channel PowerTrench
Rohs

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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDB13AN06A0_Q
制造商型号: FDB13AN06A0_Q
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-Channel PowerTrench
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:60 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:62 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):11.5 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263AB
封装:Reel
下降时间:26 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:115 W
上升时间:96 ns
典型关闭延迟时间:44 ns

手机网站相关详细信息:FDB13AN06A0_Q
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: FDB13AN06A0_Q
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