型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB045AN08A0-F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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FDB045AN08A0-F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-Channel UltraFET RoHS: Compliant | 搜索 |
FDB045AN08A0-F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 75V N-CHAN PwrTrench RoHS: Compliant | 搜索 |
FDB045AN08A0_Q [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-Channel UltraFET RoHS: Not compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Cut Tape Product (Alt: FDB045AN08A0) RoHS: Compliant | 搜索 |
FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FDB045AN08A0) RoHS: Compliant | 搜索 |
FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FDB045AN08A0) RoHS: Compliant | 搜索 |
FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDB045AN08A0) RoHS: Compliant | 搜索 |
FDB045AN08A0_F085 [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDB045AN08A0-F085) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB045AN08A0_F085 [更多] | ON Semiconductor | ATV, 80A,4.5M OHM,NCH POWER TR
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FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | SB
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET, N, SMD, TO-263AB
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | N-Channel 75 V 4.5 mohm PowerTrench Mosfet TO-263AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | N-Channel 75 V 4.5 mohm PowerTrench Mosfet TO-263AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB045AN08A0 [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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FDB045AN08A0_SN00237 [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB045AN08A0 [更多] | ON Semiconductor | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 75V, 90A, 310W, D2PAK, PowerTrench?
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB045AN08A0 [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
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FDB045AN08A0 [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FDB045AN08A | Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,75V,80A,D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
FDB045AN08A0 | 1471027 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),90A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB) 型号:FDB045AN08A0 仓库库存编号:FDB045AN08A0CT-ND 别名:FDB045AN08A0CT | 无铅 | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
制造商零件编号: FDB045AN08A0 品牌: Fairchild Semiconductor 库存编号: 759-8936 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
FDB045AN08A Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,75V,80A,D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
FDB045AN08A0 FAIRCHILD | FDB045AN08A0 系列 75 V 4.5 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-263AB | 查价格库存 查看详细 | |
FDB045AN08A0_Q Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel UltraFET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
FDB045AN08A0-BKN FSC | TRANS MOSFET N-CH 75V 80A 3PIN TO-263AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
FDB045AN08A0_Q Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel UltraFET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
FDB045AN08A0 FAIRCHILD | FDB045AN08A0 系列 75 V 4.5 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-263AB | 查价格库存 查看详细 | |
FDB045AN08A0 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK | 查价格库存 查看详细 | |
FDB045AN08A Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,75V,80A,D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
FDB045AN08A0 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
典型关断延迟时间 | 40 ns | |
典型接通延迟时间 | 18 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 92 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 6600 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 11.33mm | |
封装类型 | TO-263AB | |
尺寸 | 10.67 x 11.33 x 4.83mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 310 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 75 V | |
最大漏源电阻值 | 0.011 Ω | |
最大连续漏极电流 | 90 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
长度 | 10.67mm | |
高度 | 4.83mm |