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FDA59N25 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P | 查看库存、价格及货期 |
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FDA59N25![]() | 1228352 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 49 mohm, 10 V, 5 V ![]() | 搜索 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P 详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 392W(Tc) TO-3PN 型号:FDA59N25 仓库库存编号:FDA59N25-ND | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | FDA59N25 |
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产品相片 | TO-3P-3,TO-247-3 |
PCN Assembly/Origin | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | UniFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 250V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 59A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 49 毫欧 @ 29.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 82nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4020pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 392W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3PN |