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FC6546010R
- 场效应管 MOSFET N沟道 60V SMINI6-F3-B - FC6546010R
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FC6546010R
制造商型号:
FC6546010R
制造商:
PANASONIC
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 60V SMINI6-F3-B
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 60V SMINI6-F3-B
晶体管极性: 双N沟道
电流, Id 连续: 100mA
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS(上): 6ohm
电压 @ Rds测量: 4V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.2V
功耗, Pd: 150mW
封装类型: SOT-363
针脚数: 6
MSL: MSL 1 -无限制
工作温度范围: -
手机网站相关详细信息:
FC6546010R
旗下站点
www.szcwdz.cn
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旗下站点
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型号: FC6546010R 品牌: PANASONIC 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 60V SMINI6-F3-B
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