| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| EPC2015 | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 模具剖面（11 焊条） 型号：EPC2015 仓库库存编号：917-1019-1-ND 别名：917-1019-1 | 无铅 | 搜索 |
| EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 模具剖面（11 焊条） 型号：EPC2015 仓库库存编号：917-1019-6-ND 别名：917-1019-6 | 无铅 | 搜索 |
 | EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta） 模具 型号：EPC2015C 仓库库存编号：917-1083-1-ND 别名：917-1083-1 | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | EPC2015 |
|---|---|
| 产品相片 | EPC2015 |
| 应用说明 | Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
| 产品培训模块 | eGaN FET Reliability Second Gen Lead Free eGaN FETs Overview Paralleling eGaN? FETs |
| 产品变化通告 | EPC20xx Material Change 10/Apr/2013 |
| 视频文件 | EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey |
| RoHS指令信息 | Lead Free/RoHS Statement |
| 特色产品 | eGaN? FETs Demo Board EPC9101 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | eGaN® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 33A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4 毫欧 @ 33A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 9mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10.5nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1100pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 模具剖面（11 焊条） |
| 供应商器件封装 | 模具剖面（11 焊条） |
| 其它名称 | 917-1019-2 |
