ECH8411-TL-E,ECH8411-TL-E|SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation代理分销-ECH8411TLE原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | ECH8411 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-ECH |
| 产品目录绘图 | ECH8 Package - P, N, N/P, Dual-N & Dual-P Channel Top |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 16 毫欧 @ 4A，4V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 21nC @ 4V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1740pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.4W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 8-ECH |
| 产品目录页面 | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 869-1155-2 |
