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DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | TRANS NPN 50V 10/10K SOT-723-3 | 查看库存、价格及货期 |
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DTC114EM3T5G![]() | 2533289 | ON SEMICONDUCTOR 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率 ![]() | 搜索 |
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![]() | DTC114EM3T5G-BKN ON | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-723 T/R 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723 型号:DTC114EM3T5G 仓库库存编号:DTC114EM3T5GOSCT-ND 别名:DTC114EM3T5GOSCT | 无铅 | 搜索 |
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![]() | ON Semiconductor DTC114EM3T5G NPN Digital Transistor, 100mA 50V 10 kOhms, Ratio Of 1, 3-Pin SOT-723 型号:DTC114EM3T5G 仓库库存编号:70465971 | ![]() | 搜索 |
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数据列表 | MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3 |
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产品相片 | SOT-723_631AA |
产品变化通告 | Copper Wire Change 19/May/2010 |
标准包装 | 8,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | - |
功率 - 最大值 | 260mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-723 |
供应商器件封装 | SOT-723 |
其它名称 | DTC114EM3T5G-ND DTC114EM3T5GOSTR |