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DRDNB26W-7
库存编号:DRDNB26WDITR-ND
Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 50V SOT3630
3000起订
3000+
6000+
9000+
15000+
21000+
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DRDNB26W-7
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Diodes Incorporated

TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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DRDNB26W-7
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Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr

RoHS: Compliant

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DRDNB26W-7
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Diodes Incorporated

Trans Digital BJT NPN 600mA 6-Pin SOT-363 T/R (Alt: DRDNB26W-7)

RoHS: Compliant

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Diodes Incorporated

Trans Digital BJT NPN 600mA 6-Pin SOT-363 T/R - Tape and Reel (Alt: DRDNB26W-7)

RoHS: Not Compliant

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Diodes Incorporated - DRDNB26W-7 - TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363

型号:DRDNB26W-7
仓库库存编号:DRDNB26WDICT-ND
别名:DRDNB26WDICT <br>

无铅
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DRDNB26W-7|Diodes IncDRDNB26W-7
Diodes Inc
ARRAY NPN TRANS/SW DIODE SOT363
Rohs

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DRDNB26W-7|Diodes/ZetexDRDNB26W-7
Diodes/Zetex
ARRAY NPN TRANS/SW DIODE SOT363
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Diodes Inc
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DRDNB26W-7|Diodes Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DRDNB26W-7
制造商型号: DRDNB26W-7
制造商: Diodes Inc
描述: ARRAY NPN TRANS/SW DIODE SOT363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 DRDzzzzW
产品相片 SOT-363
其它图纸 SOT-363 Package Top
SOT-363 Package Side 1
SOT-363 Package Side 2
PCN Design/Specification Bond Wire 16/Sept/2008
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型NPN - 预偏压 + 二极管
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)220
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)4.7k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)47 @ 50mA,5V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363
其它名称DRDNB26WDITR

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