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| DRA2144V0L [更多] | Panasonic Electronic Components | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm RoHS: Compliant | 搜索 |
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| DRA2144V0L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | TRANS PNP W/RES 50V 100MA MINI3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B 型号：DRA2144V0L 仓库库存编号：DRA2144V0LCT-ND 别名：DRA2144V0LCT | 无铅 | 搜索 |
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 | Panasonic Complex Transistor PNP 50V 100mA SOT23 型号：DRA2144V0L 仓库库存编号：70358771 |   | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | DRA2144V |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 47k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，10V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | 迷你型3-G3-B |
| 其它名称 | DRA2144V0L-ND |
