数据列表 | DMS3016SSS |
---|---|
产品相片 | 8-SOIC |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
PCN Other | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 9.8A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 13 毫欧 @ 9.8A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 43nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1849pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.54W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMS3016SSS-13DITR DMS3016SSS13 |