数据列表 | DMN65D8LDW |
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PCN Other | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 180mA |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6 欧姆 @ 115mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.87nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 22pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | DMN65D8LDW-7DITR DMN65D8LDW7 |