数据列表 | DMN601TK |
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产品相片 | SOT-523 |
产品目录绘图 | SOT-523 Package Top SOT-523 Package Side 1 SOT-523 Package Side 2 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 300mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 2 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 50pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-523 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
产品目录页面 | 1576 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DMN601TK-7-F DMN601TK-FDITR DMN601TK-FDITR-ND DMN601TK-FTR DMN601TK-FTR-ND DMN601TK7 DMN601TKDITR |