数据列表 | DMN601DWK |
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产品相片 | SOT-363 |
其它图纸 | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
PCN Design/Specification | Bond Wire 3/May/2011 |
PCN Other | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 305mA |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 2 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 50pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DMN601DWK-7-F DMN601DWK-FDITR DMN601DWK-FDITR-ND DMN601DWK-FTR DMN601DWK-FTR-ND DMN601DWK7 DMN601DWKDITR |