DMN5L06V-7,DMN5L06V-7|Diodes Inc代理分销-DMN5L06V7原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | DMN5L06V(A) |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-563 |
| PCN Other | Multiple Changes 14/May/2009 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 50V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 280mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3 欧姆 @ 200mA，2.7V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
