DMN2016UTS-13,DMN2016UTS-13|Diodes Inc代理分销-DMN2016UTS13原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | DMN2016UTS |
|---|---|
| 产品相片 | 8-TSSOP |
| PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 8.58A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1495pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 880mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DMN2016UTS-13DITR DMN2016UTS13 |
