数据列表 | DMG4511SK4 |
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产品相片 | KVU-5-SOT Pkg |
标准包装 | 5,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 35V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.3A,5A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 35 毫欧 @ 8mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 18.7nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 850pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.54W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD |
供应商器件封装 | TO-252-4L |
其它名称 | DMG4511SK4-13DITR DMG4511SK413 |