| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| DMG4406LSS-13 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch ENH 30V 11mOhm 10.3A 10V VGS RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| DMG4406LSS-13 [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin SO T/R (Alt: DMG4406LSS-13) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| DMG4406LSS-13 [更多] | Diodes Incorporated | Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| DMG4406LSS-13 | Diodes Inc | MOSFET N CH 30V 10.3A SO-8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Diodes Incorporated MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO 型号：DMG4406LSS-13 仓库库存编号：DMG4406LSS-13DICT-ND 别名：DMG4406LSS-13DICT <br> |  | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Diodes Inc MOSFET, N Channel, MOS, Trans, 30V, 10.3A, SO8 型号：DMG4406LSS-13 仓库库存编号：70438039 |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | DMG4406LSS-13 Diodes Inc | MOSFET N CH 30V 10.3A SO-8 | 查价格库存 查看详细 |
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| DMG4406LSS-13 Diodes Inc | MOSFET N CH 30V 10.3A SO-8 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | DMG4406LSS |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| PCN Other | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 10.3A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 26.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1281pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | DMG4406LSS-13DITR DMG4406LSS13 |
