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DMG1026UV
- 场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V SOT563 - DMG1026UV
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DMG1026UV
制造商型号:
DMG1026UV
制造商:
Diodes Inc
描述:
场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V SOT563
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V SOT563
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 410mA
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS(上): 1.2ohm
电压 @ Rds测量: 10V
功耗, Pd: 580mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-563
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
模块配置: 双
漏源电压 Vds, N沟道: 60V
连续漏极电流 Id, N沟道: 410mA
通态电阻 Rds(on), N沟道: 1.2ohm
手机网站相关详细信息:
DMG1026UV
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
DMG1026UV
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: DMG1026UV 品牌: Diodes Inc 备注: 场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V SOT563
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