数据列表 | DMC6070LFDH |
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PCN Design/Specification | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | POWERDI® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.1A, 2.4A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 85 毫欧 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11.5nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 731pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PowerDI3030-8 |
其它名称 | DMC6070LFDH-7DITR |