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Diodes Incorporated - DMC3021LSD-13 - MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.5A, 7A 2.5W Surface Mount 8-SO

型号:DMC3021LSD-13
仓库库存编号:DMC3021LSD-13DICT-ND
别名:DMC3021LSD-13DICT
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Diodes Inc - DMC3021LSD-13 - MOSFET Dual N/P-Channel 30V 8.5A/7A SO8|70438025 | ChuangWei Electronics
Diodes Inc
MOSFET Dual N/P-Channel 30V 8.5A/7A SO8


型号:DMC3021LSD-13
仓库库存编号:70438025

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DiodesZetex - DMC3021LSD-13 - DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET DMC3021LSD-13, 7 A,8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
DMC3021LSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4067
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DMC3021LSD-13|Diodes Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DMC3021LSD-13
制造商型号: DMC3021LSD-13
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 DMC3021LSD
产品相片 8-SOIC
PCN Design/Specification Bond Wire 11/Nov/2011
PCN Other Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.5A,7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)21 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)16.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)767pF @ 10V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
其它名称DMC3021LSD-13DITR
DMC3021LSD13

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