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CTLDM303N-M832DS TR|Central Semiconductor
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CTLDM303N-M832DS TR
制造商型号： CTLDM303N-M832DS TR
制造商： Central Semiconductor
描述： MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual N-Ch Enhanced
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Central Semiconductor
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:3.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:40 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TLM832DS
封装:Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :11.8 S
栅极电荷 Qg:13 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.65 W

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