CSD87312Q3E,CSD87312Q3E|Texas Instruments代理分销-CSD87312Q3E原装现货,PDF下载
| 数据列表 | CSD87312Q3E |
|---|---|
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2?N 沟道（双）共源 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 27A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 33 毫欧 @ 7A， 8V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8.2nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1250pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-SON（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 296-35526-2 |
