数据列表 | CSD86350Q5D???? |
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产品相片 | 8-SON (5x6) |
产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
视频文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
特色产品 | CSD86350Q5D Synchronous Buck NexFET? Power Block |
Reference Design Library | CSD86350Q5DEVM-604: 1.2V @ 25A, 8 ~ 13V in |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | NexFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 40A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6 毫欧 @ 20A,8V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10.7nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1870pF @ 12.5V |
功率 - 最大值 | 13W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-LDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
产品目录页面 | 1623 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 296-27532-2 |