| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| CSD25401Q3 [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin SON EP T/R (Alt: CSD25401Q3) RoHS: Compliant | 搜索 |
| CSD25401Q3 [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin SON EP T/R - Tape and Reel (Alt: CSD25401Q3) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| CSD25401Q3 [更多] | Texas Instruments | FET, P CH, SINGLE, 20V, 8SON, FULL REEL
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| CSD25401Q3 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 14A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3） 型号：CSD25401Q3 仓库库存编号：296-24260-1-ND 别名：296-24260-1 <br> | 含铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号： CSD25401Q3 品牌： Texas Instruments 库存编号： 827-4921 | 搜索 |
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 | CSD25401Q3-BKN TI | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin SON EP T/R 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | CSD25401Q3 |
|---|---|
| 产品相片 | CSD1632x Series 8-SON |
| 产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
| 视频文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 14A （Ta）， 60A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11.7 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12.3nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1400pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 产品目录页面 | 1623 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 296-24260-2 |
