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CSD25201W15|Texas Instruments
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CSD25201W15
制造商型号: CSD25201W15
制造商: Texas Instruments
描述: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 CSD25201W15
产品相片 YZF-9-BGA Pkg
产品培训模块 NexFET MOSFET Technology
视频文件 NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列NexFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)40 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)5.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)510pF @ 10V
功率 - 最大值1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳9-UFBGA,DSBGA
供应商器件封装9-DSBGA
产品目录页面1623 (CN2011-ZH PDF)
其它名称296-27609-2

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