CSD23201W10,CSD23201W10|Texas Instruments代理分销-CSD23201W10原装现货,PDF下载

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美国1号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
CSD23201W10 库存编号:2156-CSD23201W10-ND	Rochester Electronics LLC	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	455050 1211起订	1211+	￥3.12	6-10天购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTEmUE49MjE1Ni1DU0QyMzIwMVcxMC1ORA=="],"cvcModel":["CSD23201W10"],"cvcBrand":[" Rochester Electronics LLC "],"cvcNumberAll":["1211,"],"cvcPriceAll":["3.12,"],"maxnum":["455050"],"minnum":["1211"],"mytime":["6-10天"],"haveiscanbuy":["yes"], 查看资料
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英国8号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
CSD23201W10	Texas Instruments	2200 MA, 12 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET	8 1起订	1+	￥8.76	1-3周购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTI0JlBOPQ=="],"cvcModel":["CSD23201W10"],"cvcBrand":[" Texas Instruments "],"cvcNumberAll":["1,"],"cvcPriceAll":["8.76,"],"maxnum":["8"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],

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自家仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	库存	起订量	参考单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
CSD23201W10	Texas Instruments	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	查看库存、价格及货期

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	CSD23201W10 Texas Instruments	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	查价格库存查看详细
	CSD23201W10-BKN TI	Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin WLCSP T/R 暂无PDF	查价格库存查看详细

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	CSD23201W10 Texas Instruments	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	查价格库存查看详细

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
CSD23201W10	1710777	TEXAS INSTRUMENTS 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, 600 mV (EN)	搜索
CSD23201W10	1710777RL	TEXAS INSTRUMENTS 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, 600 mV (EN)	搜索

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF	操作
	Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.2A（Tc） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）型号：CSD23201W10 仓库库存编号：296-24258-1-ND 别名：296-24258-1 <br>	无铅	搜索

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

CSD23201W10
制造商型号： CSD23201W10
制造商： Texas Instruments
描述： MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
技术参考：

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库存状态： 实时库存查询 所在地：深圳原厂原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
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产品信息

数据列表	CSD23201W10
产品相片	4-DSBGA-YZB
产品培训模块	NexFET MOSFET Technology
视频文件	NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装	3,000
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	NexFET™
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能	逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)	12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	2.2A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	82 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	325pF @ 6V
功率 - 最大值	1W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	4-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装	4-DSBGA（1x1）
产品目录页面	1623 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	296-24258-2

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