数据列表 | CSD18531Q5A |
---|---|
产品相片 | 8-PowerTDFN |
设计资源 | Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | NexFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 19A (Ta), 100A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 4.6 毫欧 @ 22A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 43nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3840pF @ 30V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
其它名称 | 296-30573-2 |