数据列表 | CSD16301Q2 |
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产品相片 | CSD-6-SON Pkg |
产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
视频文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
设计资源 | Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | NexFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 24 毫欧 @ 4A,8V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.55V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2.8nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 340pF @ 12.5V |
功率 - 最大值 | 2.3W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | 6-SON |
产品目录页面 | 1623 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 296-25260-2 |