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CMLDM3757 TR
- CMLDM3757 系列 20 V 2 Ohm N 沟道和P 沟道 增强模式 互补型 Mosfet - CMLDM3757TR
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CMLDM3757 TR
制造商型号:
CMLDM3757 TR
制造商:
CENTRAL SEMICONDUCTOR
描述:
CMLDM3757 系列 20 V 2 Ohm N 沟道和P 沟道 增强模式 互补型 Mosfet
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N & P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
20 V
Drain-Source On Resistance-Max:
2 Ω
Qg Gate Charge:
1.2 nC
Rated Power Dissipation:
350 mW
手机网站相关详细信息:
CMLDM3757 TR
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
CMLDM3757 TR
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: CMLDM3757 TR 品牌: CENTRAL SEMICONDUCTOR 备注: CMLDM3757 系列 20 V 2 Ohm N 沟道和P 沟道 增强模式 互补型 Mosfet
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