数据列表 | CGH55030F2/P2 |
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产品相片 | CGH55030F2 |
特色产品 | CGH55030F2 High Electron Mobility Transistor |
标准包装 | 58 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | RF FET |
系列 | GaN |
包装 | 管件 |
晶体管类型 | HEMT |
频率 | 4.5GHz ~ 6GHz |
增益 | 11dB |
电压 - 测试 | 28V |
额定电流 | - |
噪声系数 | - |
电流 - 测试 | 250mA |
功率 - 输出 | 30W |
电压 - 额定 | 84V |
封装/外壳 | 440166 |
供应商器件封装 | 440166 |