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BZV55-C18
- 二极管齐纳击穿 500MW 18V - BZV55C18
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BZV55-C18
制造商型号:
BZV55-C18
制造商:
NXP
描述:
二极管齐纳击穿 500MW 18V
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
二极管齐纳击穿 500MW 18V
典型齐纳电压, Vz: 18V
功耗, Pd: 500mW
工作温度最小值: -65°C
工作温度最高值: 200°C
二极管封装形式: SOD-80C
针脚数: 2
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: 黄色色带标示
二极管类型: 齐纳
功耗最大值: 500mW
容差: 5%
封装/箱盒: SOD-80C
工作温度范围: -65°C 至 +200°C
总功率, Ptot: 500mW
测试电流: 5mA
表面安装器件: SMD
产地: NE Niger
手机网站相关详细信息:
BZV55-C18
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
BZV55-C18
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: BZV55-C18 品牌: NXP 备注: 二极管齐纳击穿 500MW 18V
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Q Q:
800152669
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