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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

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Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, SOT-23

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ON Semiconductor

NFET SOT23 100V 170MA 6OH

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
BVSS123LT1G
ON SEMICONDUCTOR BVSS123LT1G
2727944

ON SEMICONDUCTOR

晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.6 V

(EN)
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ON Semiconductor - BVSS123LT1G - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3

型号:BVSS123LT1G
仓库库存编号:BVSS123LT1G-ND
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BVSS123LT1G|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BVSS123LT1G
制造商型号: BVSS123LT1G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 BSS123LT1 Datasheet
产品相片 SOT-23-3
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)170mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)6 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)20pF @ 25V
功率 - 最大值225mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

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